求助：单片机直推MOS管 [复制链接]

俺想做单片机稳压的高压电源，180v/5-10ma。初步试验的结果是开关管的动作必须干脆利落，要不高压可能上不去。所以打算用avr直推irf740，中间省去限流电阻，见示意图。

问题是irf740的输入电容不小，这样直推会不会伤到i/o口（工作频率32khz，脉冲占空比大约30%左右），导致芯片寿命缩短？如确实有问题俺就加图腾柱了。

心里没底，特意求助... ，先行谢过！！

mos管栅极输入电容大，单片机io口的拉电流小，可以考虑io口上并联一个小阻值的上拉电阻（强上拉），效果会比较明显，当然加三极管驱动也是个好办法

单片机直接驱动mos管的实验没做过，但做过驱动三极管(2sc2230)的，三极管工作电压5v，效率不高，驱动频率和占空比记清了，空载电压约为120v（临时搭的电路），一时不慎高压接触单片机，至使单片机不可逆转的损坏，之后也没在继续实验。

用光电隔离转换？

用6n137高速光耦隔离

avr输出是半桥式的，输入 输出 电流都很大

要加光电隔离 否则单片机程序容易跑飞 如果持续输出高电平难免火光冲天

啊？俺怕火光冲天...

感谢各位老大们，我拿定主义了，为了安全加个图腾，用小的成本换大得多的安全性， ！

73！！！

1：需要高速光耦进行隔离，否则会有严重后果！
2：需要使用ds0026进行驱动，否则mos管发热大！

ds0026
dual high-speed mos driver


features
n fast rise and fall times—20 ns 1000 pf load
n high output swing—20v
n high output current drive—±1.5 amps
n ttl compatible inputs
n high rep rate—5 to 10 mhz depending on power
dissipation
n low power consumption in mos “0” state—2 mw
n drives to 0.4v of gnd for ram address drive

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要加光电隔离 否则单片机程序容易跑飞 如果持续输出高电平难免火光冲天 [表情]

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哈哈，经验啊！
我直接拿单片机推h桥，结果杯具了，到没火光冲天，就是焊锡融化，mos管直接掉下来了，神奇的是管子竟然还是好的。

参考无刷电动车

[quote=child@by1qh]哈哈，经验啊！
我直接拿单片机推h桥，结果杯具了，到没火光冲天，就是焊锡融化，mos管直接掉下来了，神奇的是管子竟然还是好的。[/quote]

好玩。90年代我买过一个港产的镍镉充电器，可以4只电池独立充电的那种。充电器很贵，费我一月工钱，价格100多！突然有一天它不工作了，打开一看，一只管子因为过热已从焊盘上掉了下来， 。

再次感谢各位老大的帮助，感谢bg4reo提供驱动器资料！

新的示意图在下面，已经增加了缓冲，实际做板的时候我会再留出逆向保护二极管的焊盘，以防万一。 :d

73！

还是推拉驱动可靠。。。

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再次感谢各位老大的帮助，感谢bg4reo提供驱动器资料！
新的示意图在下面，已经增加了缓冲，实际做板的时候我会再留出逆向保护二极管的焊盘，以防万一。 :d
73！

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单片机到缓冲那里加个电容做耦合，要不然像zytian
说的单片机跑飞了，pb2一直高电平，就杯具了...

可不是呗，很容易火光冲天，还真得加！这个是做氖管数字钟的，要常年工作，俺可不想它出事故。顺便提示我了，电源模块要选带短路保护的那种，踏实些。

如果lz想升压的话，找一篇dcdc就行啊

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如果lz想升压的话，找一篇dcdc就行啊

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谢谢yuhang兄！我主要是想加多点儿手工的成分，反正是自己鼓捣着玩的，咋乐咋整了， :d 。

这电路驱动有点不足,高电平栅极才4.3v,看看波形, 如不能完全开通损耗就大了点.

用的pwm驱动,不太可能出现恒1的情况吧,如果串了电容,不知道波形如何. 倒是可以串个电阻,万一上管穿了就没得玩了.

共地的,不太理解光电隔离...

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这电路驱动有点不足,高电平栅极才4.3v,看看波形, 如不能完全开通损耗就大了点.
用的pwm驱动,不太可能出现恒1的情况吧,如果串了电容,不知道波形如何. 倒是可以串个电阻,万一上管穿了就没得玩了.
共地的,不太理解光电隔离...

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正中要害，驱动确实不太足！俺打算蒙混过关，混不过去再加提升电平的倒相器。

端口恒1或者占空比大于50%也确实不太容易出现，因为pwm是自动工作的。但如果定时器配置错误或程序跑飞跑巧了还是有可能惹祸的，为了保险，加电容。

现在仿真结果还凑合，实际试验俺过两天接着做。 :)