制作VFO中难免就需要对晶体的频率进行改变,否则就不叫VFO了
我们总是希望,在一个VFO中,频率的改变范围尽可能大一些,振荡稳定一些
但是不幸的是,在晶体振荡电路中,这两者难以兼得
如果为了稳定,晶体拉动的频率变化往往比较小,而如果改变过大,振荡又会受到破坏
通常改变晶体的振荡,会给晶体串联/并联可调整的电容或电感
为了研究电感、电容对晶体振荡的影响,做了如下实验:
电路采用考毕兹振荡电路,加一级缓冲输入频率计
晶体有两种:49U型和49S型,频率4MHz
实验方法:晶体单一接入电路或2只相同晶体并联接入电路
对晶体串联不同电阻电容,观察频率变化范围
其中,电容为陶瓷微调电容,容量变化范围5-20pF
电感则比较杂,有色环电感,工字电感,还有开关电源里的滤波电感等等
结果如下,根据实验结果,总结收获:
1、49U的晶体较49S的晶体,频率改变范围更大
2、晶体并联后,振荡更稳定
3、让晶体振荡“慢一点”,比让晶体振荡“快一点”要难,且变化范围更窄
4、5-20pF电容调节范围过小,换更大的电容应该可以换来更大的调节范围