制作VFO中难免就需要对晶体的频率进行改变，否则就不叫VFO了
我们总是希望，在一个VFO中，频率的改变范围尽可能大一些，振荡稳定一些
但是不幸的是，在晶体振荡电路中，这两者难以兼得
如果为了稳定，晶体拉动的频率变化往往比较小，而如果改变过大，振荡又会受到破坏
通常改变晶体的振荡，会给晶体串联/并联可调整的电容或电感
为了研究电感、电容对晶体振荡的影响，做了如下实验：
电路采用考毕兹振荡电路，加一级缓冲输入频率计
晶体有两种：49U型和49S型，频率4MHz
实验方法：晶体单一接入电路或2只相同晶体并联接入电路
对晶体串联不同电阻电容，观察频率变化范围
其中，电容为陶瓷微调电容，容量变化范围5-20pF
电感则比较杂，有色环电感，工字电感，还有开关电源里的滤波电感等等
结果如下，根据实验结果，总结收获：
1、49U的晶体较49S的晶体，频率改变范围更大
2、晶体并联后，振荡更稳定
3、让晶体振荡“慢一点”，比让晶体振荡“快一点”要难，且变化范围更窄
4、5-20pF电容调节范围过小，换更大的电容应该可以换来更大的调节范围
