有木有大电流低压降半导体开关器件 [复制链接]

有木有这样一种半导体可控开关器件：
最大通过电流大于3A，工作电压5V以下，导通压降小于0.1V，开关启动驱动电平最好是1V或以下，贴片封装？

digikey上找.

D mosfet

TTL电平控制

就是主板上的电源MOS管，新主板用的多，SO8封装

这样的太多了 你去IRF的网站看下就知道了

目前需要这样一个电路，要求导通时负载上压降不大于0.1V@3A，图中开关器件对地启动电压不大于1.2V。

1V的驱动就能导通的NMOS,难找!

这个,号称微欧级别的导通电阻,手册推荐的VGS是3.5~4.5V,但是看曲线似乎在1V上面一点点就能导通,最大电流60A,VDS=5V.但是估计买不到.

谢谢大家的帮助。其实我是想做一个负载上电时序控制电路。结构如下：
有1.2V和3.3V负载。要求12V输入时，1.2V负载比3.3V负载先启动（通电），12V断电时，要求1.2V比3.3V先断电。
所以我首先想到用开关器件控制。但普通三极管似乎不行。因为3.3V负载最大电流有3A左右，一般三极管在这个电流档位压降比较大，负载或许会罢工。
看了下网上介绍的上电时序控制芯片方案（ADI），他要求这两个稳压器都要从同一个电源取电。我这个方案似乎不行。
所以实际上是想找一个能解决在这种电源结构里做上电时序控制的电路。

晕,这是源级开关,VGS电压要高于VDS电压,就是说,你需要一个VDS+VGSmin的驱动电压才能完全打开MOSFET.比如当VDS=3.3V的时候,VGS要至少3.3+3.5=6.8V时MOSFET才能完全导通.如果非要做这上臂开关的话,建议使用PMOS.

ironman:晕,这是源级开关,VGS电压要高于VDS电压,就是说,你需要一个VDS+VGSmin的驱动电压才能完全打开MOSFET.比如当VDS=3.3V的时候,VGS要至少3.3+3.5=6.8V时MOSFET才能完全导通.如果非要做这上臂开关的话,建议使用PMOS. (2012-09-07 13:37) 

刚才发现一款电源时序控制芯片ISL6123，正好满足我们这个要求，他不但有时序控制，还有MOSFT栅极电压升高用电荷泵，可以使开关管栅极对地电压提升到VDD+5。

那直接控制电源芯片就是啊，用不着这样做啊

zgj:那直接控制电源芯片就是啊，用不着这样做啊 (2012-09-07 14:05) 

不行。因为1.2V是由3.3V降压而来。但现在要求1.2V比3.3V先输出。

有时序要求，可以看看Reset怎样，有的io状态可以通过Reset清掉，这样就简单点

对功耗和开关时间要求不严的话可以用继电器嘛...

总电源12V？ 那你用这个12V去控制MOSFET不久行了么，只要是共地，木有任何问题

永远的FM:[图片]
目前需要这样一个电路，要求导通时负载上压降不大于0.1V@3A，图中开关器件对地启动电压不大于1.2V。 (2012-09-07 09:23) 

如果按照图上的应用 你应该用PMOS  如果用NMOS 你这个打开后会出现问题

或者你把NMOS的源极接地，负载电阻R挪到漏极与电源之间。

ncradio:如果按照图上的应用 你应该用PMOS  如果用NMOS 你这个打开后会出现问题
或者你把NMOS的源极接地，负载电阻R挪到漏极与电源之间。 (2012-09-09 09:41) 

PMOS管控制原理和PNP三极管是不是类似？要让栅极电压低于漏极电压？

PMOS不好找，还是把负载放漏极上吧。
3.3和1.2的时差要求多少？

NCE2302   （OR SI2302） SOT-23
VDS = 20V,ID = 2.9A,VGS(th) = 0.75V。