请问24Cxx 的寿命问题 [复制链接]

请问 24cxx的寿命问题：
比如说寿命是10w次， 是指一个存储单元写10w次后这个单元就坏， 还是不管是哪里， 只要写够10w次， 整个片子就坏？

肯定不能这样来理解，也可能跟原子游离有关，也可能只是厂家可靠性测试得出的一种可以承诺的指标，一般是不考虑这样的寿命问题的，碰上工艺有缺陷的坏的早，好的恐怕是几倍的１０Ｗ次吧！

感谢您的回答， 那我换个问法吧。。。
不考虑个体差异，就假定寿命是10w次写周期， 我向第一个单元写了99999次后就在不用这个单元了， 然后对第二个单元写99999次， 直到第n个单元，像这种用法， 其寿命是 n×99999次还是仅仅10w次？

要频繁写，还是别用这种了。 麻烦不断。

这是一个统计学加概率的命题

有可能一个ic没用到10w次，就完蛋了

有可能另外一个ic（同批次）用了20w次也是好好的

写的倒不是很频繁， 但频繁读， 还有什么芯片比较好？ 要求价格低，体积小， 编程方便（fm的不算）
4eq怎么还给我讲概率？ 我是问经常写的单元单独坏，还是要坏大家一起整个完蛋？

我也在担心这个问题。

我做的一个小项目，为了防止掉电而掉数据，每3秒钟保存一次数据（数据是持续不断产生的），做完了给人家用了，一直在祈祷，千万不要在关键的时候熄火～～～

感觉是被读写的那单元坏,没用过的应该可以使用,我没做过测试(有过应用,但读写不频繁,10年难坏吧),忘记什么资料上有这一说,呵呵.............

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...为了防止掉电而掉数据，每3秒钟保存一次数据（数据是持续不断产生的），...～～～

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倒了～，不能这样干吧？哥哥。

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倒了～，不能这样干吧？哥哥。

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搞个掉电检测，掉电才写。

咔咔～～～赶时间，来不及想那么多了。

主要就是～就是～在不久的将来，机器～～了～～可以换一餐酒喝～～～～

嘿嘿～～


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倒了～，不能这样干吧？哥哥。

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搞个掉电检测，掉电才写。

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如何检测掉电？ 掉电了又如何进行写操作？

每3秒钟保存一次数据？
－－－－ 不到100小时就over了

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如何检测掉电？ 掉电了又如何进行写操作？

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掉电检测采用检测交流电压信号的办法。在半个交流周期内（１０毫秒的时间）就可以判断出掉电。检测到掉电后，电源滤波电路中的电容上的电已经够进行写操作的了，前提是你的写操作子程序时间不能太长。

谢谢楼上的指教， 是不是还要加个ad转换？ 很麻烦呀。

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谢谢楼上的指教， 是不是还要加个ad转换？ 很麻烦呀。

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不用ＡＤ。

把交流的过零信号(或其他形式与交流电压关联的信号)通过硬件整出来，给单片机，单片机查询之，在１０毫秒内未收到这个信号，就进入掉电处理程序。

下面这个图是个例（注意：这个是２０毫秒的）

非常感谢， 明白了，我现在要做的电路是电池供电，干脆把电源开关做成双联的，关机前给个信号， 让单片机保存当前参数。但是电池电压低造成停机就每办法了

24cxx是绝对不能当成ram来使用的。我们当年遇到过一个被活活写坏的案例，也就是频繁的写，一周时间就完了。

坏的话只坏一个单元，通常厂家保证是10w次，即每个单元可以写10w次。
读不坏的。因为写入时要使绝缘层击穿才能充上电，所以器件有损伤。
所以后来的nand-flash，考虑到用来做u盘时，目录和文件分配表要频繁写入，所以前面几块是100万次寿命，后面的还是只有10万次。
10w次对于正常使用是个很大的数字，但不能作为ram来用。想点其它办法吧。

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坏的话只坏一个单元，通常厂家保证是10w次，即每个单元可以写10w次。
读不坏的。因为写入时要使绝缘层击穿才能充上电，所以器件有损伤。
所以后来的nand-flash，考虑到用来做u盘时，目录和文件分配表要频繁写入，所以前面几块是100万次寿命，后面的还是只有10万次。
10w次对于正常使用是个很大的数字，但不能作为ram来用。想点其它办法吧。

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感谢回复， 如果是这样的话， 就可以通过软件调整写入不同的区域来使其寿命最大化