具体内容：
https://forum.dl2man.de/viewtopic.php?p=1686#p1686正如 Faraaz 所说：
E 级至关重要，仅组件公差就可能将过滤器踢出规格。您需要通过弄乱线圈来满足这些公差： STEP1：
从 LX2 开始（X 代表带槽，eG 1 代表 20m）->
当 （tr）uSDX 打开时，选择要弄乱的频段。然后将其关闭（断开电源，并卸载射频板） 将 NanoVNA 连接到它，如下所示： NanoVNA 的 S11 端口到 RF 和 GND 引脚（RF 是 INNER SMA 连接器，
GND 是 OUTER）
S21 端口到 RF 板的 SMA 连接器。
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使用像这样的自制适配器（来自排针和 SMA 插座）：
适配器.JPG
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使用 S21 功能“LogMag”并覆盖基波频率 + 至少双倍频率及以上。
然后用你的记号笔标记你的第二次目标二次谐波。在 40m 频段的情况下：所需频率为 7,1MHz，因此二次谐波陷波应为 14.2MHz。
忽略此时的基频 !!你不能用 NanoVNA 来调整它，因为它是一个 50 欧姆系统，而 LX1 则更多地在 10 欧姆 Ragne 中。再次：忽略 NanoVNA !!上的基频 /LX1
然后将您的线圈 LX2 调整到该（二次谐波陷波）频率上。挤压绕组，将它们分开。在最坏的情况下，如果你没有到达那里：添加或移除绕组。如果压缩转弯让你更接近目标，但不是目标，那么添加一个转弯。
如果分开转弯让你靠近但不点，请删除 1 个转弯。
当您达到二次谐波缺口时，频率处于打开状态，请离开它并： 永远不要再碰它 !!!
步骤2：
然后卸下 NanoVNA 并再次将 PCB 连接到主板。打开它。
将 SWR Meter 设置为 PWR，将 CW 中的 Efficiency
TX 设置为目标频率下的 Dummy Load，直键进入虚拟负载。
然后降低频率，提高频率并进行比较。
如果功率和效率在较低频率下增加（提高），则必须降低LX1的电感。
反之亦然：如果您的功率和效率在更高的频率下增加（变得更高），则必须增加 LX1 的电感。
增加电感是通过将绕组挤压在一起来完成的（或者如果达到最大值：在线圈上增加一匝数） 减小电感是通过分离绕组来完成的，并尝试在环形线圈周围尽可能均匀地分开它们（或者如果达到最大值：从线圈上取下一匝）
遵循此模式应该可以让您直接进入球场......
就我而言，我通常会获得 4-5W @12V 和 80% 的效率。
并非总是如此，但大多数时候都是如此。
我什至为该程序准备了一个视频，但找不到时间完成它......
73 曼努埃尔;DL2曼
[ 此帖被钱志豪在2024-01-17 08:11重新编辑 ]
