DIY高准确度电压基准 [复制链接]

我居然以前没注意这个ad584的内部结构。在我文章里ad584类型是空的。从图上看5v和2.5v带载能力很差。2.5v端本来就是调整端，有负载或灌电流就会变化。不过，好象2.5v本身还算相对稳定，变化的是10v/5v。

各位有兴趣可以自制带隙基准。核心是两个pn结。基准值是vj1+a*(vj1-vj2)，前者的负温度系数大约是-2 mv/k，后者和kt/q (26 mv)成正比，可以写成b*kt/q，正温度系数大约是b*0.085 mv/k。把b设在24左右，两个温度系数抵消，输出在1.2 v左右。

cmos带隙基准也应该是这样，可能用的是寄生的pn结。

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各位有兴趣可以自制带隙基准。核心是两个pn结。基准值是vj1+a*(vj1-vj2)，前者的负温度系数大约是-2 mv/k，后者和kt/q (26 mv)成正比，可以写成b*kt/q，正温度系数大约是b*0.085 mv/k。把b设在24左右，两个温度系数抵消，输出在1.2 v左右。
cmos带隙基准也应该是这样，可能用的是寄生的pn结。

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楼上有资料?这样必要时候可以自己搭了 谢谢

一个具有一个正温度系数的电压用以补偿具有负温度系数的晶体管的vbe ，用来维持一个恒定的“带隙”电压(见图1.2)
三极管q2发射极面积是q1的8倍；这两个管子在r1上产生一个正比于绝对温度的电流，一个正比于绝对温度的电压与q1的vbe串联，产生电压vz，它不随温度变化并且可以被放大(见图1.2)，这个电压等于硅的带隙电压(外推到绝对零度)。

带隙基准与最好的隐埋齐纳基准相比，其准确度和稳定性稍微差一点儿，但是温度特性可优于3 ppm/°c。

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一个具有一个正温度系数的电压用以补偿具有负温度系数的晶体管的vbe ，用来维持一个恒定的“带隙”电压(见图1.2)
三极管q2发射极面积是q1的8倍；这两个管子在r1上产生一个正比于绝对温度的电流，一个正比于绝对温度的电压与q1的vbe串联，产生电压vz，它不随温度变化并且可以被放大(见图1.2)，这个电压等于硅的带隙电压(外推到绝对零度)。
带隙基准与最好的隐埋齐纳基准相比，其准确度和稳定性稍微差一点儿，但是温度特性可优于3 ppm/°c。

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若做外部恆溫,應可達到相當高的指標吧!

cmos的是这样。寄生的双极型晶体管只能那么用，vbe之差和运放的偏移电压叠加在一起被放大，因此要使vbe之差尽可能地大。比较好的安排是，i2大，q2的结面积反而小，i1和q1正好反之。

上面的全双极型电路好象没有这个问题，但是q1和q2的结面积也不是一比一。

它原则上只在一点有零温度系数。这里用一个和温度成正比的（ptat）电流去补偿，在较大的范围内取得尽可能小的温度系数。

bob pease写了个简单的东西：
http://www.national.com/rap/application/0,1570,24,00.html

其中的图2可能是最简单的带隙基准。

mainstreet 够专业！我以前还真的用分立元件搭过，当时bandgap元件很难找。

贴两篇基准相关方面的文章
1、早期国内杂志上介绍lm399应用的文章
2、电压基准及时间基准

过奖。过奖。

呵呵！辛苦了一个晚上，终于ltz1000搞出来了。
r4没用上团购的6+6=12k，而是用两个rck的25.14k并联代替，因为r1=120欧没有符合要求的电阻，只能用fluke的100欧线绕代替，而rck刚好并联式12.5k.

另外，提醒大家用haisens兄提供的板子时候要注意几个问题，一就是我以前提过的电容容量标错，c3应为0.002u,而其他应为0.1u.
第二就是，haisens兄板上印上的两个二极管方向都搞错了，焊接的时候记得要反过来（我刚开始焊的时候搞错，出不了电压，后来得2vo老师提醒才搞清楚，而2vo老师的板子也有一个搞错，大家注意）


现在输入是9v，输出是7.06v，明天用5位看看具体是多少!

楼上这个好，有了第一个，后面的就好做。

我还在等120欧的电阻呢。

120欧电阻有消息了，见原来那个电阻团购统计贴。

我用济宁生产的线绕电阻用于7v 升10v 的升压电阻，半个月的波动还可以，开始是10.000056v，半个月中最大值是10.000065v，波动为9uv，小于1ppm。

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我用济宁生产的线绕电阻用于7v 升10v 的升压电阻，半个月的波动还可以，开始是10.000056v，半个月中最大值是10.000065v，波动为9uv，小于1ppm。

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你已经做了？这个结果不错，是用rx70？微调部分如何做的？最好上个图来

刚看到的，板子焊完后老化一下：

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刚看到的，板子焊完后老化一下：

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这个的确如此。
但ltz1000的板子问题不大，原因之一是ltz1000是金封本身很少受影响，原因之二是外围元件变化而引起的输出的变化很小，抑制100倍以上。

是的，用的是rx70，0.25w，共12个，8个10k串并联成5k，4个12.2k串并联成12.2k，然后在5k电路中串接了100欧、50欧和10欧的线绕电阻，同时在100欧、50欧和10欧的电阻上分别并联了500欧、200欧和100欧的可调电阻，效果还可以，但是我现在有一个问题不太好处理，温度影响比较大，温度每升高一度，输出电压要下降约30个微伏，今天我特意做了一个试验，将输出电压调到10.0000008v，然后将环境温度升高1度，输出电压降到9.99997028v。还有振动也有影响，不过很小，而且很快能恢复过来。

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是的，用的是rx70，0.25w，共12个，8个10k串并联成5k，4个12.2k串并联成12.2k，然后在5k电路中串接了100欧、50欧和10欧的线绕电阻，同时在100欧、50欧和10欧的电阻上分别并联了500欧、200欧和100欧的可调电阻，效果还可以，但是我现在有一个问题不太好处理，温度影响比较大，温度每升高一度，输出电压要下降约30个微伏，今天我特意做了一个试验，将输出电压调到10.0000008v，然后将环境温度升高1度，输出电压降到9.99997028v。还有振动也有影响，不过很小，而且很快能恢复过来。

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恩，这样温度系数是-3ppm/c。
我估计是电阻温度系数比较大而且离散也比较大所导致。我也这样串并联用过，但我装之前把没一个电阻的温度系数都测试了一下，把个别大的剔除，然后再按照温度系数合理分配，使得上下电阻温度系数尽量相等。
我用的rx70-10k的单个电阻大多是5ppm/c左右的，做成后的温度系数在0.5ppm/c之内。