磁保持继电器驱动电路求助 [复制链接]

最近做一个线性电源，保护电路使用了一个12V 120A的磁保持继电器，查阅了一些资料，都是要用单片机做驱动，只是本人功力太浅，单片机一窍不通，后来自己琢磨了一个电路，利用一个2200微法的电容做充放电来驱动，无耐速度太慢，达不到要求。现在的情况就是电源在启动时，12V通过电容和继电器绕组充电吸合，电容充满电后，充电电流降为近似0，完成吸合动作，当保护电路动作时，之前充满电的电容通过继电器绕组放电，继电器释放断开，完成释放动作。现在的问题是，继电器吸合的瞬间保护电路立刻动作的话，继电器就不能完成释放动作，因为那一瞬间电容没充到足够的电，不能为释放提供足够的能量，但又不能减小电容的容量来缩小充电时间，那样的话充电时间达不到磁保持继电器的动作脉冲宽度，特此求教坛内大侠支招，在此附上基本电路，谢谢了。

想办法让充电速度比放电速度稍微快一点吧。保护电路上用磁保持风险还是有点大，最好用倾向于安全的设计。

BG8AAS:想办法让充电速度比放电速度稍微快一点吧。保护电路上用磁保持风险还是有点大，最好用倾向于安全的设计。
 (2012-11-28 03:07) 

谢谢了，磁保持继电器部分用24V不知会不会好点，反正电容充满后就没电流了。这个保护只是整个保护电路的一部分，还有其他保护执行机构联动。

提高电压能够提高速度，但是如果现在能吸上去马上反向却不能放下来，那么提高电压就不能解决根本问题。最简单的办法可以试试二极管串电阻旁路充电时的一部分电流。。当然如果能多用几个三极管整体改造一下也许更好。

---

您看我的电路，吸合是靠电容充电，释放是靠先前吸合时充好电的电容放电而释放的，就是说在单位时间内，电容充的电越多，释放越可靠。如果旁路了充电电流，那吸合就会变得不可靠，您说是不是？如果用几个三极管做一个H桥，也要解决一个约200ms宽度的脉冲问题。

用4个三极管的桥路来驱动。要有两个控制信号，一个开，一个关。

如果不想用桥来驱动，选用双线圈的磁保持继电器吧，一个线圈管吸合，一个线圈管释放。

想用它做过压保护还是过流保护？过压保护最好就别用了。继电器的动作时间和晶体管雪崩击穿时间不在一个数量级，而且触点在直流大电流分断时会粘连，延长分断时间，还可能烧毁触点

我是用来做过压过流保护的，您说的这些弊端确实存在，但用晶体管雪崩击穿的方法在高电流（100A）时会不会对电路的调整管产生致命冲击呢？尽管可以在回路中串接一个电感来抑制瞬间电流，但这样一来在等效动作速度上是不是也会打折扣？而且这个方法需要配合合适的熔断器使用，那么熔断器的加入势必会增加线路内阻，且熔断器是一次性使用，不会自恢复，老是要拆机也麻烦。

触点粘连及烧蚀可以通过加大触点容量和增加消火花电路来减小其发生的可能性。

bg6tuf:我是用来做过压过流保护的，您说的这些弊端确实存在，但用晶体管雪崩击穿的方法在高电流（100A）时会不会对电路的调整管产生致命冲击呢？尽管可以在回路中串接一个电感来抑制瞬间电流，但 .. (2012-12-01 01:34) 

我是说，继电器还没来得及断开呢管子已经挂了。如果是过压保护，就在调整管之前、滤波之后加快熔芯和可控硅。过压时可控硅短路，先把调整管的输入电压拉下来，然后快熔芯断掉，可控硅都来不及生热。我在用，效果好。

BH4LOS:我是说，继电器还没来得及断开呢管子已经挂了。如果是过压保护，就在调整管之前、滤波之后加快熔芯和可控硅。过压时可控硅短路，先把调整管的输入电压拉下来，然后快熔芯断掉，可控硅都 .. (2012-12-01 17:22) 

谢谢您的回复。我想可不可以在调整管之前，滤波之后加一个有足够低饱和内阻的晶体管做开关来切断调整管的供电？这个管子平时工作在深度饱和状态，保护电路一旦动作，其立刻截止，不知这样做比继电器速度会不会快些呢？大电流短路，快熔芯会暴，很恐怖。