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赵老师,您好!能否公布达标厚摸的原理图,我的p2发射频谱9mhz分量较大,想查一查问题在哪儿.
'与厚膜关系不大了，主要是激励幅度、陷波线圈调整与位置问题。你看下图频谱（从3357输出端测得。横数每格为2mhz）：
图1是9mhz陷波没有调整，泄漏就严重，相对7mhz才-33db。
图2是陷波线圈调整到位，泄漏很小，相对7mhz为-50db。如果把150p换用np0的150p电容，9mhz泄漏可以进一步减小，能减掉1格，可以完全从频谱消失（这个照片我没有照）。
以上采用的是普通厚膜，还不是达标厚膜，所以你不必考虑厚膜问题。
如果只装1只陷波器，其位置很重要，应该装紧接ne602输出端的陷波器，而不要装在厚膜的输出端。从频谱图看，装在厚膜后面，作用就大打折扣了。此外，激励很重要，r44宜采用1m左右的。100k很容易激励过大，造成9mhz泄漏。
此外，你的p2输出功率达25w。我没有在这么大功率做过测试，最多是9w测试。在9w情况下，陷波器安装1只，采用普通厚膜，9mhz相对主波至少都在-60db，甚至看不见。
