仅从所提的三种的器件和方式看,如大家所讨论的,无疑是
二极管(或场效应管)双平衡混频电路,具有比较优越的性能,
我想主要是在它有相当好的线性指标(ip3),接收信号的动态
范围就大,另外它对谐波(尤其是偶次谐波)的抑制能力相当不
错,这可以减少设计时在谐波与互调干扰问题的考虑,至于该混
频器的噪声系数,主要还是取决于二极管/fet器件本身。但是获
得这些好处也是有付出的:
1,二极管/fet的指标配对要求相当严格;
2,平衡端接的变压器(几百mhz下一般是用这种方式)对称性要
求高。还要考虑与器件的阻抗匹配问题。
3,它的变频增益几乎是负的,就是有损耗的,这如果放在前级,
对系统的噪声是不利的,因此您经常还要做损耗补偿的考虑,这
就要求您综合考虑系统噪声,灵敏度与增益的关系。
4,还有就是要求的本振功率比较大,但要适当。
呵呵,这些相当苛刻的条件,对于业余制作来说,做好这样一个
无源混频器,难度就相当大了。我记得ft-100d是用双平衡二极管做的,
ft-817是用双平衡fet管来做混频的。
有许多常用的rfic中混频器的设计,是采用gilbert类型的,工艺实现
比较容易,指标也可以,还有可观的变频增益,使电路设计方便。
因此对于我们ham的制作,ne602/sa602/mc1496/1495等通用芯片,
是方便设计取材的,只要精心设计,出来的指标应该不错。
当然,发烧级的ham就另说了(我希望多点 :)
不妥错漏之处,请多指正。
vy 73! de bg7igg