有关于1N60二极管的真假问题? [复制链接]

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上张２ＡＫ１０的图．．．．．正向导通电压约为０．２７５Ｖ

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锗管的正向导通电压差不多就是这个数值。。。。。。

在网上找的图．．．．．一种是do-35封装．．st生产．．外形同1n4148，一种是台湾产．．．外形同２ＡＰ９等玻壳封装．．

也许两种封装形式的１Ｎ６０都存在．．．

do35的是肖特基的“代1n60"
原型应该是如同1n34或者类似2ap，2ak一样的点触的锗管。

[quote=老干部]do35的是肖特基的“代1n60"
原型应该是如同1n34或者类似2ap，2ak一样的点触的锗管。[/quote]

．．．晕了．．．那原型号是哪个厂家生产的？

[quote=老干部]do35的是肖特基的“代1n60"
原型应该是如同1n34或者类似2ap，2ak一样的点触的锗管。[/quote]
1n60本来就是肖特基的。有数据表为证。
下面的是厂家

现在的厂商都注意包装形象，do-35是标准封装，歪瓜劣枣状是国产的无疑，说不定还是2ap9remark过的。。。。。。

1n60就是锗（ge）的点触管子，可以从手册（乃至几十年前的手册）找到，类似使用也很广的管子就是1n34，它们同类的。

但是最近10多年点触锗管工艺成本比较高，部分厂家按照1n60的特性，采用schottky的结构制作所以厂家给出的datasheet就是schottky的，好处是产量大成本比较低。

我几年前测过几批同样厂家的锗1n60,1n60p，schottky的1n60，schottky贴片的1n60和锗1n34。其实dc来说schottky更好点，正向更陡，比如0.1ma时候schottky的压降只有0.10-0.13样子，而锗的普遍比较大些，达到0.14-0.2??上下，而且锗的离散更大些。反向也是schottky的漏电更小些。另外对比的国产2ap30e和2ap31e离散更大些。

高频的结电容没法量和比较了，因为q表借给人家了。

我查了手册.....手册上标的结电容....2ap系列的结电容都标的小于等于1.....2ak10也是一样.....

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我查了手册.....手册上标的结电容....2ap系列的结电容都标的小于等于1.....2ak10也是一样.....

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用q表就很容易测量到的。

[quote=老干部]1n60就是锗（ge）的点触管子，可以从手册（乃至几十年前的手册）找到，类似使用也很广的管子就是1n34，它们同类的。
……[/quote]
真抱歉，我英文不好！
我发的图，第一个是点触锗（german...）的，最后一个是台湾某电子厂的，那个是硅肖特基的。
弄错了，不好意思！
谢谢您的提醒！

[quote=老干部]我几年前测过几批同样厂家的锗1n60,1n60p，schottky的1n60，schottky贴片的1n60和锗1n34。其实dc来说schottky更好点，正向更陡，比如0.1ma时候schottky的压降只有0.10-0.13样子，而锗的普遍比较大些，达到0.14-0.2??上下，而且锗的离散更大些。反向也是schottky的漏电更小些。另外对比的国产2ap30e和2ap31e离散更大些。[/quote]
我记得2ap9还是2ap11什么的可以工作到100mhz的。
不过据书上说，ge管的漏电流相对比较大，而且开关特性可能也不如schottky的好。

今天用２ＡＫ１０，５０ua表头搭接了一个简易测场强电路．．．．．．在没接任何天线的情况下．用２Ｗ，４００Ｍ手台．．就能微动．．．加一短线作天线后．．．．在距离０．５Ｍ的地方指针打到一半了．．．．．再近点就要打表了．．．．看来２ＡＫ１０完全可以代用1n60．．而且可能截止频率可能还要比1n60高点．（仅为估计．．欢迎拍砖．）..因为从手册上查．．．２ＡＫ１０与２ＡＰ系列管子的结电容都小于１pf．．应该工作截止频率都在１５０Ｍ左右．．．

1n60，看国外厂家提供的数据手册，有大封装也有小封装的。看来真假难辨