大家来聊聊晶体管功放的阻抗匹配问题 [复制链接]

一般的hf功放设计中都把功放管的输出内阻（百瓦级的管内阻约0.1-0.5欧）忽略不计来设计输出变压器，其初级电阻为
2*（vdd - vsat)*(vdd -vsat)/ po,
如一个使用一对mrf150的推挽放大器,工作电压50v，输出功率300瓦，mrf150饱和电压vsat=3v,代入公式得出
2 * （50-3）*（50-3）/300=14.7
由于变压器次级输出阻抗为50欧，所以变比为14.7/50 约等于 1：4，所以输出变压器选用1：4的形式。
上例中的最佳变比也是通过这个公式得出来的，放大器要工作在最大输出10瓦时2：1是最佳变比。如变成1：4的话放大器的效率就变得很低，如果功放管容量不大（如使用两个标称输出10瓦的管），还存在容易烧管的问题。

请问ba7kw
假设一个推挽放大器，工作电压13.8v，管子的饱和压降vsat很小，可以忽略不计。输出阻抗50欧姆，输出变压器为1：9形式。
根据2*（vdd - vsat)*(vdd -vsat)/ po=rc，变换得2*（vdd - vsat)*(vdd -vsat)/ rc=po。
将上述条件代入：2*13.8*13.8/5.55=68.6w
换句话说，输出功率被电压和输出变压器阻抗比限定在68.6瓦以下。
是否正确？

1。先根据次级阻抗确定最低频率时所需要的次级电感，比如50欧姆负载，次级电感应该使
2*pi*f*l>50*k,
k可以取4或更大一些。
然后计算圈数（这个圈数比每匝几伏更有用）
Ｌ＝Ｕｒ＊Ｕｏ＊Ｎ＊Ｎ＊Ａ／l
这是根据次级阻抗要求算出来得数值。
2。测定磁饱和性能。
用磁环绕一个1：1的变压器，次级接50欧姆负载，初级调高输入交流电压到输入电压和电流明显的出现非线性。这时的峰值电流乘以圈数就是饱和的安匝数。
这时的电压除以圈数就是该频率下的磁饱和每圈几伏。
如果用高频测量，绕几圈就可以，如果用音频测，（可以用音频功率放大器，几十千赫兹），圈数与频率的平方根成反比。测量时可能要几十到上百圈。如果频率很低，由于圈数太多，电压很低，电阻的影响会带来很大误差。
与低频变压器不同的是：低频电源变压器的每伏几圈是根据空载时的磁饱和性能确定的，高频变压器则不会工作在空载状态下。
3。确定温度。
低档的磁环在达到磁饱和前，早就热得不得了。主要是涡流损耗和磁滞损耗。所以如果磁环损耗不够低，那么上面算出来的东西完全没有意义，因为温度一上升，导磁率，磁饱和性能全变了。
事实上几乎所有的磁环功率都是由损耗引起的温升决定的，（否则一个普通发射机磁环可以输出的功率要大几十倍）
正如7kw所说，测量每匝几伏意义不大，
正如7kw所说，还是根据实验确定。

用双极晶体管也好,用fet也好,两只推挽也好,8只推挽也好,
5瓦功率也好,1000瓦功率也好,13.8v供电也好,50v供电也好,
输出变压器统统默认1:9一定没错.

Ｌ＝Ｕｒ＊Ｕｏ＊Ｎ＊Ｎ＊Ａ／l
公式中各代表什么？

用双极晶体管也好,用fet也好,两只推挽也好,8只推挽也好,
5瓦功率也好,1000瓦功率也好,13.8v供电也好,50v供电也好,
输出变压器统统默认1:9一定没错.

我们可不可以把晶体管看做电原，而天线看做负载，为了达到最大输功率，电原的内阻（晶体管输出电阻）和天线（负载电阻）相等时，达到最大输出功率，达到匹配。所以加了变压器，可否看作这样？

但也最多时1：4，1：9，1：16几种罢了，关键是不同的最低频率要求要配套不同的磁环。功率要求不同磁环的尺寸也不同。

是啊,这三种变比可以满足实际使用了,更精确的变比已经没有意义.
折衷使用默认的1:9就是普遍做法.设计高频变压器应该把主要精力
放在结构形式和制作工艺上,因为结构形式和制作工艺决定了变压器
的功率容量,频宽特性和频幅特性.

但是按照计算，再13.8v的电压下用1：9的时候不能输出100w啊？

理论好难搞懂，我现在2只1972用的1：4输出变压器，2匝：4匝，电流5a，请问有没危险？