求助：线性电源老是高电压保护 [复制链接]

按图施工，调试接近尾声。
不过老是跳继电器，也就是说scr1老是无缘无故导通。
已经将r16、r17改为470欧姆仍有导通情况。
以发cw时最为严重。也就是电流变化剧烈的时候容易导通。
现在断开r16和可控硅的连接，在r16接示波表，正常有0.05v的电压，在电流变化剧烈的时候有尖峰脉冲，怀疑就是这个脉冲打开可控硅。
请教各位高手有啥解决方法

有两个小想法
1.将可控硅改用pnp的三极管
2.电阻继续换回120欧姆，c12增大到0.47uf或1uf
不知道对不对

c9为什么不加大到1000-3000uf甚至更大？ c12增大到10-20uf 为什么不可以呢？！类似这样的保护电路我做过很多。实践证明没有因为电容加大而导致保护发生延迟损坏后级元件的，或者说这种延迟的影响是可以忽略的。

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c9为什么不加大到1000-3000uf甚至更大？ c12增大到10-20uf 为什么不可以呢？！类似这样的保护电路我做过很多。实践证明没有因为电容加大而导致保护发生延迟损坏后级元件的，或者说这种延迟的影响是可以忽略的。

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马上试试

有老兄还建议我可控硅装到外面，引线双绞穿磁环。
昨天试了试，c12边上并联一个22uf25v，c19换成1000uf，问题解决了。
穿磁环的太麻烦了。

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有老兄还建议我可控硅装到外面，引线双绞穿磁环。
昨天试了试，c12边上并联一个22uf25v，c19换成1000uf，问题解决了。
穿磁环的太麻烦了。

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不是射频干扰穿磁环没有用，而是线路上的脉动干扰。