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看到这么一段话,不知道是不是意味着hexfet在设计之初就把rf应用作为主要用途之一?或者说hexfet的物理特性决定了它本身就可以很好的在rf应用?
请注意看标题下的第一段话。“power fets became popular in the late 1970s.while some manufacturers introduced devices specified for rf, the market was dominated by switching applications.”
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我觉得是这意思。且拿100khz左右的开关电源说吧,如果能在这种频率上完成漂亮的开关动作,那它的正弦波可用带宽就至少10倍于这个频率。再拿中波发射机来说,如果在这个波段也能完成漂亮的开关动作,而且还是高功率的电路,那它的这种可用带宽也至少10倍于此波段的频率,这不就hf段功放了,而且还是至少地说。
很多年前我试过irf510的,是频率1134k的中波发射机,9v供电时载波功率5w,峰值20w,发射管只需要半个拇指那么大的散热器,可见其效率。hf段的我也试过一个160米cw的,24v单管输出100w。可惜当时舍不得花钱,老惦着用1015、1815之类的小管子做推动器,结果是老烧,后来就没再弄,现在想想真是苯死,换成1020、2655又咋了,唉。但输出级绝对是成功了,效率真的超过90%。末级的变压器还特别好做,初级1uh,次级10uh,用vhf的那种双孔芯就行了。
也许有人觉得vmos不适合线性放大,我冒昧地说一句,这肯定错误。这种管子的恒流特性比双极的管子还好,线性差不了。还有它比bjt抗烧,这对我们业余的来说是挺重要的。:)
我的毛病是胆子小,不敢加高频率,但我知道它的余量还大得很,至少3-5mhz开关化工作没问题,正弦工作肯定能覆盖整个hf段。可惜没有坚持下去,希望大家能继续,能成功!