中国上海,2013年8月13日讯 – 恩智浦半导体(NXP Semiconductors N.V.)(纳斯达克代码:NXPI)今日推出BLF188XR($172.7930) – 其XR系列“超耐用” LDMOS 射频功率晶体管的最新成员。BLF188XR专为最严酷的工程环境而设计,真实条件下耐用性更强, 能够在5dB压缩点承受超过65:1驻波比的严重负载失配。BLF188XR能提供出色的1600 W峰值输出功率,其工作电压可高达60 V,并且仍能通过极为严格的耐用性测试。其他主要特性包括:更强大的集成ESD保护,能使BLF188XR用于C类操作模式;几种增强型功能,能使XR系列器件在多种应用中易于设计和调试。
BLF188XR另一项令人关注的特性是其卓越的线性度,该特性使BLF188XR成为高功率线性应用的极佳选择。BLF188XR非常适合频率范围小于300 MHz的大规模工业、科学和医疗(ISM)应用,而广受欢迎的BLF578XR($287.2800)系列的建议使用频率范围为500 MHz以内。[ 此帖被bg8srq在2017-12-03 23:44重新编辑 ]